重大突破!中国或解决光刻机自主难题,要变道超车?

2021-02-27 11:03:29 | 来源:头条 | 参与: 0 | 作者:姚禄

  由于美国的多次阻碍,中国一直无法获得先进的光刻机,这是导致中国芯片制造无法进一步升级最大的障碍。但是最新消息,中国在光刻机领域获得重大成果,有何重大意义?

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  25日,清华新闻官方网站消息,清华大学工程物理系教授唐传祥团队和亥姆霍兹柏林材料与能源研究中心,以及德国联邦物理技术研究院合作在顶级杂志《自然》上发表论文,报告一种新型粒子加速器光源“稳态微聚束”(SS MB)的首个原理验证实验。

  在SS MB原理上,能够获得窄带宽、高重频、高功率的相干辐射,从太赫兹到极紫外(EUV)波段的波长都能覆盖。SS MB未来有望应用在EUV光刻和角分辨光电子能谱学等领域,此论文一出立即引发国内外学术界和相关产业的高度关注。

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  可能对于很多人来说,又是一则“字都认识”系列新闻。但是EUV光刻机很多人都很熟悉,EUV极紫外光刻机是目前全球性能最优的芯片制造的核心设备,而荷兰AS ML公司是全球唯一能造出这种光刻机的产商。在2018年,中芯国际曾花2亿美元从AS ML订购了一台EUV光刻机,但是由于美国的阻挠,我们至今未收到货。

  在半导体行业,光刻机是必不可少的核心装备。目前主要有DUV光源与EUV光源两大类型光刻机,不过EUV光刻机的波长短了许多,只有13.5纳米。其工作相当于用波长只有头发直径一万分之一的极紫外光,在晶圆上“雕刻”电路,这种工艺能让仅指甲盖大小的芯片能包含上百亿个晶体管。

  而且EUV光刻机是以高能紫外线为光源,仅一次曝光就能实现7nm工艺芯片的制造,精度还高,这是半导体行业的未来。简言之,光刻机需要的极紫外光源,波长越短、功率越大越好。而这次清华团队的研究成果,基于SS MB的极紫外光源有望实现更大功率,并且还具备更短波长的潜力,可能成为未来EUV光刻机的光源。

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