终于等来了,中国7nm芯片技术获得重大突破,国产芯片破局时局已到

2020-10-14 15:51:03 | 来源: | 参与: 0 | 作者:科技前线

  

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  最近一段时间,美国频繁地利用“芯片”制裁中国华为与中兴等中国企业的事情,在国际上闹得可谓是“沸沸扬扬”甚至就连中芯国际都难逃美国的“黑手”。

  既然被美国在芯片上面束缚住了“手脚”,那么我国自然是要解开这些“捆绑”着手脚的束缚。于是,研制属于我们自己“国产芯片”的计划就此被提上了日程,而最近这一研制计划似乎有了一个巨大的“突破”,我们也终于等来了一个好消息。

  日前,中兴公司曾对外正式宣布5G基站的7nm制程芯片将会全面商用化,而在这句话刚宣布完不久之后,中芯国际的第二代FinFET工艺也在同一天的不同时间曝光出了新进展,根据《珠海特区报》的报道显示,芯动科技已经全面完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1工艺的芯片流片与测试,该工艺将是由国内全面自主研发生产并测试通过。

  关于该工艺,中芯国际联合CEO梁孟松曾对记者解释过,该工艺虽然不是真正意义上的7nm工艺,但是这个由中芯国际研制的N+1工艺,其无论是在功率方面还是在稳定性方面都和现有的7nm工艺十分相似,并且跟现有的7nm工艺相比较的话,该工艺还有一个最大的主要优势,那就是不需要EUV光刻机。

  当然,这系列工艺还是有缺点的,例如在性能方面的提升就远远不够,所以,以目前的情况来看,N+1工艺是面向低功耗领域的工艺。

  不过对于中国来说,此次芯动科技基于中芯国际的先进工艺所研制的芯片的测试成功,意味着中国未来将会在芯片方面彻底拥有自主知识产权,并且在面对来自外国的“卡脖子”中,中国也将可以全面应付。

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