比两弹一星更难?美媒:中国拟投9.5万亿,研发第三代半导体技术

2020-09-26 17:13:43 | 来源: | 参与: 0 | 作者:科技前线

  三代半导体芯片的主要成分是,碳化硅、氮化镓等掺杂性复合材料,具有较纯半导体更为优质的电导率水平。能够在高频、高功率、高温度环境下工作,被广泛应用于第五代芯片、军用雷达以及电动汽车等相关领域。我国在这一领域不断增长的需求和投资,将有实力打造出“世界一流的中国芯片巨头”。

  报道指出,民族产业注资,将减少中国对外国技术的依赖,与2025年中国制造计划所设定的目标相呼应。“神州数码”首席运营官郭为表示,“智慧城市的概念已经被吹捧多年,现在这些相关行业,才真正看到了投资。”诚然,如果指望国外技术带动中国“智慧城市”的实际发展,将不知道是猴年马月的故事。

  在如今中美高新技术难以共存于同一片土壤的年代,主要企业相互撤离,既是挑战也是机遇。挑战在于,我们将倾全国之力,共同克服中国多年依赖外国的半导体技术的关键难题,不仅要跟上半导体发展的历史积累、技术更迭;加大科研投入力度,完善产业链、创业链。

  最为重要的一点是,加大这一领域的人才培养、学科建设;还应该注重相关知识产权保护,真正实现成果转化。最为现实的原因就是,1美元的半导体产品,将带来100美元的GDP增值,而半导体的核心技术就是这一增值转化的关键所在。

  尽管我们在最需要国外技术的时候,撤出了美国这片科技沃土,但我们将把握这一自主创新的机遇,逆风胜出。正如“电子工程专辑”网9月25日消息,科学技术专家乔治·利奥波德的分析称,振兴美国本地芯片制造产业的国家活动越来越频繁,这一现实凸显了,美国在芯片技术上的领先地位已经不复稳固。

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